基于混合气体活化的硅基钽酸锂晶圆键合研究

摘要：

集成在硅基衬底上的钽酸锂薄膜在新型声学器件上具有重要应用,等离子体活化键合是其主要的集成方式,相关研究报道众多但仍缺乏对等离子体活化工艺的深入研究.本文研究了LT和Si衬底晶圆在不同活化气氛、频率和时间下的亲水性接触角变化情况,探索了一套可以显著提高键合强度的活化参数.研究结果发现,对晶圆表面采用N2加O2混合活化 60s后,LT和Si衬底晶圆亲水性接触角达到最小值,分别为 4.244°和 3.859°.键合后用SEM扫描了样片的横截面,发现键合质量良好.最后对比了用O2、N2和Ar活化 60 s,以及N2 加O2 混合活化 60s后键合片的键合强度,发现混合气体活化后键合强度最大,达到了 9.05 MPa.

关键词：晶圆键合、亲水角、活化、钽酸锂、硅基、键合强度

所属期刊栏目：42

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：四川省科技计划2020YFJ0002

在线出版日期：2023-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：693-698