不同波形电压刺激下单晶LiNbO3薄膜忆阻器的电阻可塑性研究

摘要：

随着人工智能在物联网中的应用,对于传感器端的高性能神经网络边缘计算需求日益迫切.忆阻器被认为是传感器端神经网络边缘计算应用中最具潜力的核心器件.由于传感器的输出信号具有不同的电压波形,故设计了不同的脉冲方案模拟不同的传感信号,基于单晶LiNbO3 薄膜忆阻器,研究了不同波形的电压刺激(方波、正弦波、三角波)对电阻可塑性的变化范围、线性度等的影响规律.在保持电压幅值和积分面积相同的情况下,研究了在三种不同波形电压刺激下的增强和抑制过程.在增强过程中,方波刺激下的电导变化幅度最大,在幅值为 6V的电压刺激下可达 72 nS,正弦波次之,三角波最小(在幅值为 6V的电压刺激下仅为 42 nS);而三角波刺激下的线性度最高,正弦波次之,方波的最低.测试分析可知这些差异主要是由三种波形超过特定阈值的积分面积不同所引起的.而在抑制过程中均观察到了电导突变现象,研究中通过幅值渐变的脉冲序列对电导突变进行了抑制.

关键词：传感器、忆阻器、电阻可塑性、电压波形、增强过程、抑制过程

所属期刊栏目：42

分类号：TN60(电子元件、组件)

资助基金：国家自然科学基金;重庆市自然科学基金面上项目

在线出版日期：2023-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：673-680