菊花链Cu/Cu3Sn/Cu互连凸点电迁移仿真研究

摘要：

多物理场耦合作用下产生的电迁移现象成为影响键合结构可靠性的关键问题.建立了菊花链键合封装结构的三维有限元模型,研究了电-热-力交互作用下键合结构的温度分布、电流密度分布及应力分布.发现在连接线与凸点相连的位置容易发生电流聚集效应,从而导致此处出现温度升高及热应力增大的现象.此外,仿真分析了2～12 mV输入电压和20～100μm凸点间距对键合结构的电迁移失效的影响.发现对于20μm间距的凸点,输入电压超过8 mV时会发生电迁移失效.对于间距超过40μm的凸点,输入电压超过4 mV时会发生电迁移失效.结果表明,20μm间距的凸点电迁移可靠性高,为凸点结构设计及电迁移的实验研究提供了参考.

关键词：电迁移失效、多物理场耦合、菊花链结构、有限元分析、可靠性、电流密度

所属期刊栏目：42

分类号：TN604;TN403(电子元件、组件)

资助基金：国防科技173计划技术领域基金项目2020JCJQZD043

在线出版日期：2023-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：246-252