用于钴互连CMP抛光液的研究进展

摘要：

当集成电路技术节点进入10 nm及以下,传统的铜(Cu)互连材料面临着阻容(RC)延迟高、电子散射强等问题,钴(Co)作为制程工艺中的新材料,以其更低的电阻率、更高的硬度和更低的平均电子自由程,成为了替代Cu作为互连材料的优选金属.化学机械抛光(CMP)是去除Co布线层多余材料,实现全局平坦化的唯一技术.而抛光液作为CMP工艺中最重要的耗材之一,其性能的好坏直接决定了晶圆的抛光效果和良品率.回顾了近年来钴互连金属材料的各种新型抛光液的国内外研究进展,讨论了不同化学添加剂对Co材料的去除速率、腐蚀抑制和表面质量的影响.同时总结了钴互连CMP抛光液面临的挑战及发展方向.

关键词：化学机械抛光、钴、综述、互连金属、抛光液、添加剂

所属期刊栏目：42

分类号：TN305.2;TQ421.4(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项;河北省自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2023-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：137-143