超临界流体改善IGZO薄膜晶体管光电特性研究

摘要：

随着高速、高分辨率、全透明的显示技术不断发展,对全透明薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)的电学和光学性能均提出了更高的要求.首先在玻璃衬底上制备了以非晶铟镓锌氧化物(Amorphous Indium-Gallium-Zinc Oxide,a-IGZO)为有源层、铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)为电极的全透明薄膜晶体管.并以低温环保的超临界流体技术进一步改善器件特性,超临界流体具有高溶解和高渗透性,可进入器件内部,修复材料中的断键,消除器件的缺陷,进而提升器件综合性能.实验结果表明,处理后器件的亚阈值摆幅从451.44 mV/dec下降至231.56 mV/dec,载流子迁移率从8.57 cm2·V-1·s-1增至10.46 cm2·V-1·s-1,电流开关比提升了一个数量级.此外,超临界处理后器件的光电应力稳定性和光学透明度均得到有效改善.

关键词：薄膜晶体管、超临界流体、缺陷、迁移率、光电特性

所属期刊栏目：42

分类号：TN321.5(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金62074007

在线出版日期：2023-03-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：63-68