高频驱动GaN-LED的频率响应特性研究

摘要：

高刷新率显示器对氮化镓基发光二极管(GaN-LED)驱动频率提出更高的要求,因此研究GaN-LED的频率响应特性具有重要意义.研究了方波交流电压驱动下GaN-LED发光强度的频率响应特性.结果表明,LED的发光强度波形与电压波形存在固定的迟滞时间(约27 ns),且该迟滞时间不随驱动频率改变.在所施加的交流驱动频率范围内(100 kHz～50 MHz),发光强度呈现四个不同的区域:即随着频率的升高,LED发光强度先保持稳定,随后下降,再次上升,最后衰减直至停止工作.文中阐述了形成四个区域的原因.该研究有望为基于LED的超高帧速率显示器件驱动设计提供依据.

关键词：GaN-LED、频率响应特性、发光强度、载流子迁移

所属期刊栏目：42

分类号：TN29(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家重点研发计划2021YFB3600404

在线出版日期：2023-03-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：57-62