具有多场限环结构的SiC LDMOS击穿特性研究

摘要：

场限环终端结构因能够显著提高击穿电压而被广泛应用于半导体功率器件.基于数值模拟软件建立了具有多场限环结构的SiC LDMOS仿真模型.分别仿真场限环各项参数和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系.提取器件击穿时的表面电场,从表面电场分布均匀程度和峰值电场两方面分析击穿原理.研究结果表明,当漂移区掺杂浓度一定时,击穿电压随场限环数量、结深和掺杂浓度的增大而先增大后减小;当场限环参数一定时,击穿电压随漂移区掺杂浓度的增大而先增大后减小;经验证在相同条件下,线性环间距设计的LDMOS击穿特性优于等环间距设计,且漂移区掺杂浓度越高,环掺杂浓度和环结深越小,失效场限环数量越多.

关键词：SiC LDMOS、场限环、漂移区掺杂浓度、击穿电压、表面电场分布

所属期刊栏目：42

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：甘肃省科技厅计划项目21YF5GA058

在线出版日期：2023-03-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：50-56