p型接触界面氧影响SiC APD暗电流的机制研究

摘要：

SiC雪崩光电二极管(APD)作为一种微弱紫外光探测器件,高探测灵敏度对器件暗电流水平提出极高要求.在SiC APD复杂的制备过程中,器件暗电流是极其敏感的,为了探索工艺中暗电流的影响因素并分析其机制,对四种不同工艺条件下制备的SiC APD进行对照分析,通过电流-电压曲线展现器件的输出特性,并结合扫描电子显微镜(SEM)来研究相关界面的表面特性,从而揭示漏电机制.研究表明,器件制备过程中界面氧的引入在高温退火过程中会诱导金属-半导体界面缺陷的形成,从而导致暗电流的急剧增加,这种缺陷的诱导机制还和p型接触金属密切相关.在器件制备过程中,在氧等离子体去胶等可能引入氧氛围的工艺步骤后,对外延片进行氢氟酸腐蚀以去除氧氛围能够有效降低器件的暗电流.

关键词：SiC、雪崩光电二极管、暗电流、界面氧

所属期刊栏目：42

分类号：TN312+.7(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;无锡学院引进人才科研启动专项;无锡学院引进人才科研启动专项

在线出版日期：2023-03-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：45-49,62