不同表面活性剂对铜互连阻挡层CMP一致性的影响

摘要：

为实现铜互连阻挡层化学机械抛光的高平坦化,研究了阻挡层抛光液中表面活性剂的作用.在抛光液中分别添加非离子型表面活性剂异辛醇聚氧乙烯醚(JFC-E)、本课题组研发的Ⅱ型活性剂以及复合表面活性剂,研究其对阻挡层CMP中铜和正硅酸乙酯(TEOS)去除速率及一致性的影响.实验结果表明,表面活性剂不仅可以改善Cu和TEOS的去除速率一致性和晶圆全局一致性,还可以降低铜表面的粗糙度,通过复配两种不同的表面活性剂,可以提高Cu和TEOS的去除速率,使Cu和TEOS的剩余厚度片内非均匀性(WIWNU)分别降低至1.39％和1.38％,铜表面粗糙度从5.25 nm降至1.51 nm.基于实验结果,研究并提出了表面活性剂影响抛光液润湿性,从而改善片内非均匀性和铜表面质量的机理.

关键词：化学机械抛光、表面活性剂、去除速率、片内非均匀性、粗糙度

所属期刊栏目：41

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;天津市科技计划项目;光电信息控制;安全技术重点实验室基金

在线出版日期：2022-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1108-1113