20nm金属氧化物半导体场效应晶体管的噪声特性分析

摘要：

传统短沟道的纳米MOSFET噪声主要为受抑制的散粒噪声,其次为热噪声;在建立器件的噪声模型时,并没有考虑栅极噪声源与源极噪声源二者之间的电荷耦合,其耦合效应会形成互相关噪声.实验测试了20 nm MOSFET的噪声,结果分析得到短沟道MOSFET的噪声主要为散粒噪声、热噪声和互相关噪声.其次,根据MOSFET的器件物理结构及特性推导了纳米MOSFET的互相关噪声公式.在此基础上,比较受抑制的散粒噪声、热噪声和互相关噪声随沟道长度、温度、源漏电压和栅极电压的变化关系,所得结论有助于提高MOSFET器件的工作效率、可靠性及寿命.

关键词：MOSFET、互相关噪声、抑制散粒噪声、热噪声

所属期刊栏目：41

分类号：TN407(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金;国家青年科学基金项目;陕西省科技厅项目;安康学院应急管理专项

在线出版日期：2022-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1060-1065