10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1783
一种含有新型薄膜的硅基MEMS压力-温度集成传感器
提出了一种含有新型不规则形状的压力敏感膜的压阻式压力传感器,这种新型薄膜结构能够将整个膜面的应变聚集在四个局部区域内,从而提高传感器的灵敏度.惠斯通电桥被用来实现压强到电信号的转换,而电桥上的薄膜电阻刚好位于压力敏感膜片上的四个应变最大区域.实验测试表明,压力传感器能在3~129 kPa压强范围内正常工作,灵敏度为27.34μV/kPa,迟滞为1.2%,精度为±2.348%FS.此外,还在压力敏感膜外的零应变区集成了一个温敏电阻RT作为温度传感器,仿真和测试结果表明,压强不会干扰温敏电阻的工作.采用开尔文四线法来测量RT与温度的关系,测试结果表明温度传感器能在16~113℃的温度范围内工作,灵敏度为2.55Ω/℃,迟滞误差为0.1%,精度为±0.145%FS.
压阻式压力传感器、温度传感器、惠斯通电桥、开尔文四线法
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TN305(半导体技术)
2022-10-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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