基于人工神经网络的GaN HEMTs建模与参数提取

摘要：

近年来,市场对半导体器件的需求越来越大,其中,氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)因具有优良的性能而被广泛应用于高效、高频功率转换领域中.基于GaN HEMTs器件的小信号等效电路模型,提出了一种分步提参法,分别提取了GaN HEMTs的寄生参数与本征参数,并在射频仿真软件ADS中验证了模型和参数提取的准确性;然后结合人工神经网络(ANN)方法建立了GaN HEMTs器件大信号状态下的漏源电流、栅漏电容和栅源电容非线性参量模型.最终通过比较GaN HEMTs器件在不同的偏置下漏源电流、栅漏电容和栅源电容实际测量与仿真结果的一致性来验证了该方法的有效性.

关键词：GaN HEMTs、参数、人工神经网络、大信号、非线性

所属期刊栏目：41

分类号：TN385(半导体技术)

资助基金：四川省教育厅资助科研项目18ZA0502

在线出版日期：2022-08-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：713-718