周期数n对(BSZT/BTO)n薄膜微观结构和电学性能的影响

摘要：

为了提高单周期BSZT/BTO薄膜的性能,采用射频磁控溅射技术制备了(BSZT/BTO)n(n=1,2,3,4)多周期异质结构薄膜.通过XRD、SEM和电学性能测试等手段探究周期数n对(BSZT/BTO)n薄膜微观结构和电学性能的影响.结果表明,随着周期数n的增加,(BSZT/BTO)n薄膜结晶性增强,介电常数增大,介电损耗减小.在1 MHz测试条件下,(BSZT/BTO)4薄膜的介电常数为187,介电损耗仅为0.02,同时薄膜的铁电性略微增加,而漏电流密度降低到了1.16×10-5A/cm2,这表明(BSZT/BTO)n薄膜周期数增加能有效提高薄膜的微观结构和电学性能.除此之外,还对(BSZT/BTO)4薄膜漏电流密度机制与温度和电场强度的关系进行了研究,从机理上说明了(BSZT/BTO)4薄膜漏电流密度特性.

关键词：射频磁控溅射、多周期、(BSZT/BTO) n、漏电流密度

所属期刊栏目：41

分类号：TB383(工程材料学)

在线出版日期：2022-08-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：673-679