一种非对称欠压锁定电路设计

摘要：

传统带隙基准结构的欠压锁定(UVLO)电路存在结构复杂、温漂特性差、功耗高等缺陷.为精准实现低温漂,提出了一种欠压锁定电路结构,该结构基于差分放大器的非对称性产生滞回电压,进而降低了阈值电压的温度敏感性,提高了阈值电压的精度.该欠压保护电路通过反馈控制法产生了上、下门限阈值电压,克服了单个阈值抗干扰能力差的缺点.电路基于0.18μm BCD工艺设计,仿真结果表明:当电源电压高于上门限阈值电压(VIH)2.2 V时,芯片系统正常工作;当电源电压低于下门限阈值电压2.01 V时,芯片系统被关断;在-55～+125℃温度范围内,该电路的滞回电压为0.19 V,VIH温漂为0.01 V,滞回电压温漂为0.07 V,且该欠压锁定电路的功耗在3 V电源下为9.54μW.

关键词：欠压锁定、滞回电压、阈值电压、温度漂移、功耗

所属期刊栏目：41

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2022-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：539-544