基于物理结构的GaN HEMTs小信号等效电路的精确建模方法研究

摘要：

为了有效地表征GaN HEMTs在微波频段下的电学特性,研究了其高频等效电路的精确建模方法.基于GaN HEMTs器件的本征物理结构,综合考虑器件在制版过程中由电极和通孔所带来的寄生特性,描述了一种具有26个详细参数网络的小信号等效电路模型.此模型考虑了器件在工作环境下所受到的集肤效应,同时通过对小信号等效电路进行双端口网络参数分析,推导了其准静态近似的微波等效电路参数直接提取的简化算法,最终通过ADS仿真平台将所建模型和传统模型的S参数模拟结果与实测数据的一致性进行对比,验证了小信号等效电路模型的精确性与参数提取算法的有效性.

关键词：GaN HEMTs、物理结构、小信号模型、参数提取、集肤效应

所属期刊栏目：41

分类号：TN385(半导体技术)

资助基金：四川省教育厅资助科研项目18ZA0502

在线出版日期：2022-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：531-538