铜离子掺杂聚合物基忆阻器的类脑神经形态性能分析

摘要：

忆阻器能够模拟生物神经突触行为,在低功耗条件下实现存储与运算并行的类脑神经形态计算,而如何通过低成本易操作的方法获得性能优异稳定的忆阻器件是该领域的研究热点.该研究通过按比例混合溶液的掺杂方法在聚合物中引入金属离子,采用低成本的旋涂工艺实现功能层成膜,再采用蒸镀工艺制备顶电极实现基于Ag/聚乙烯吡咯烷酮(PVP):Cu2+/ITO的忆阻器,对其展开电突触的类脑神经形态性能分析.结果显示:器件表现出显著稳定的电脉冲时序依赖的突触可塑性;通过变化所施加电信号脉冲的特性参数,发现此人工突触还表现出对所施加脉冲幅度和脉冲宽度依赖的可塑性学习行为.这为其在人工智能神经形态计算技术中的应用提供新的可能性.

关键词：忆阻器、人工突触、聚合物、类脑神经计算

所属期刊栏目：41

分类号：TN804(无线电设备、电信设备)

资助基金：国家自然科学基金;福建省中青年教师教育科研项目;移动通信;物联网福建省高校工程研究中心开放课题项目

在线出版日期：2022-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：473-478