宽带高线性高隔离无源双平衡混频器

摘要：

基于InGap/GaAs HBT工艺设计了一款宽带无源双平衡混频器,针对双平衡混频器射频中频交叠及射频到中频端口隔离度差的问题,采用了双混频环+新型滤波补偿网络的结构,不仅提高了隔离度和线性度,同时扩宽了带宽,改善了混频器整体性能.射频、本振频率为1.5～5.0 GHz,射频功率为-10 dBm,本振功率为13 dBm,中频频率为DC～1.5 GHz.仿真结果表明,变频损耗(Conversion Loss)为7 dB,本振与射频信号隔离度(Iso_LO/RF)为44 dB,本振与中频信号隔离度(Iso_LO/IF)为45 dB,射频与中频信号隔离度(Iso_RF/IF)为35 dB,ⅡP3为20 dBm,芯片面积为1.6 mm×1.6 mm.

关键词：砷化镓、双平衡结构、滤波补偿网络、双混频环、隔离度、线性度

所属期刊栏目：41

分类号：TN773(基本电子电路)

资助基金：陕西省重点研发计划项目;陕西省重点研发计划项目;陕西省重点研发计划项目;西安市集成电路重大专项;陕西省创新人才推进计划;陕西省教育厅重点科学研究

在线出版日期：2022-05-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：423-428