0.3～8GHz超十倍频程MMIC低噪声放大器设计

摘要：

为应对未来射电天文发展对超过十倍频程带宽接收性能的需求,实现厘米波多波段同时观测,使用法国OMMIC公司70 nm GaAs mHEMT工艺研究并设计一款工作频率为0.3～8 GHz的超宽带单片微波集成低噪声放大器芯片.放大器电路采用三级级联放大结构,双电源供电,芯片尺寸为2000μm×1000μm.仿真结果显示,常温下芯片在整个工作频段内增益大于40 dB,噪声温度优于65 K,在8 GHz处达到最低噪声51.4 K,无条件稳定.该芯片工作频率覆盖P,L,S,C,X五个传统天文观测频段,适用于厘米波段的超宽带接收机前端,并满足未来毫米波拓展中频带宽的需求.

关键词：低噪声放大器、三级级联、单片微波集成电路、超宽带

所属期刊栏目：41

分类号：TN722.3(基本电子电路)

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金

在线出版日期：2022-05-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：418-422