4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件

摘要：

介绍了一种4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件.该结构引入了台阶状沟槽,使用TCAD软件对台阶状沟槽的数量、深度、宽度等参数进行了拉偏仿真,确定了最优台阶结构参数.仿真结果表明,与传统的UMOS器件相比,最优台阶结构参数下的台阶状沟槽MOSFET器件关断状态下的栅氧化层尖峰电场减小了12％,FOM值提升了5.1％.提出了形成台阶的一种可行性方案,并给出了实验结果,SEM结果表明,可以通过侧墙生长加湿法腐蚀的方法形成形貌良好的台阶.

关键词：4H-SiC、台阶型沟槽、MOSFET、栅氧化层、尖峰电场、FOM值

所属期刊栏目：41

分类号：TN325.3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金12035019

在线出版日期：2022-05-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：376-380