10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1807
As、Ga掺杂对Mn4Si7电子结构和光学特性的影响
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法研究了四方本征Mn4 Si7、As掺杂及Ga掺杂(同一周期不同主族进行n、p型掺杂)Mn4 Si7模型的电子结构以及光学性质.通过对其能带、态密度及光学性质的分析可以发现,As、Ga掺入后引入了杂质能带,能带曲线向低能级方向移动,导致禁带宽度减小,杂质的引入使得其介电常数、吸收率、反射率及光电导率等光学性质得到提高.此外,Ga的掺杂对Mn4 Si7光学性质的增强更为显著.研究结果表明Mn4 Si7基材料在红外光电器件的应用中显示出了巨大的潜力和研究价值.
Mn4Si7、第一性原理、掺杂、电子结构、光学性质
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O734(晶体物理)
贵州省科技厅、贵州大学联合资金项目
2022-05-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
369-375