基于PLP技术的DrMOS混合式互连封装工艺

摘要：

目前商用DrMOS多采用引线键合方式互连,然而引线键合会产生大量寄生电感,生产效率低.针对上述问题,应用面板级封装(PLP)技术,提出一种DrMOS混合式互连封装工艺.分别建立混合式互连工艺与引线键合工艺封装体模型,通过有限元软件ANSYS相应计算模块进行电参数提取、散热能力分析、热应力与翘曲验证.仿真结果表明,同引线键合封装工艺相比,采用混合式互连工艺封装的器件上管MOSFET(HSMOS)源极电感降低53.5％,下管MOSFET(LSMOS)源极电感降低65.49％;混合式互连工艺模型热阻降低0.13℃/W;封装在塑封工序与回流焊工序的封装翘曲值分别为23.159μm与8.5672μm,均符合工艺设计要求.实现了一种电性能优异、散热能力良好的封装工艺,为DrMOS混合式封装工艺设计提供参考.

关键词：DrMOS;封装工艺;寄生电感;热阻;翘曲

所属期刊栏目：40

分类号：TN605(电子元件、组件)

资助基金：广西重点研发计划AB20159038

在线出版日期：2022-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1228-1233