磁控溅射制备ZnO/p-Si多孔纳米薄膜异质结及其室温气敏特性

摘要：

采用磁控溅射和二维胶体模板相结合的方法,溅射气压为2.5 Pa时,在p-Si衬底上制备了40 nm厚的ZnO多孔纳米薄膜.同时采用磁控溅射方法,在p-Si衬底上制备了同样厚度的ZnO纳米薄膜.两种薄膜均与p-Si衬底形成异质结.采用扫描电子显微镜(SEM)和转靶X射线衍射仪(XRD)对两种薄膜的微观形貌和晶体结构进行了表征.采用4200-SCS气敏测试系统分析了两种薄膜异质结的I-V特性和室温气敏特性.结果表明,ZnO多孔纳米薄膜异质结的气敏性能优于ZnO纳米薄膜,在16000 ppm的丙酮(C3 H6 O)气体中,ZnO多孔纳米薄膜异质结的灵敏度最高可达11.5.该多孔纳米薄膜异质结气敏性能的提升归因于其比表面积的提升.

关键词：多孔纳米薄膜;ZnO/p-Si异质结;室温;磁控溅射;气敏

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分类号：TP212.1(自动化技术及设备)

资助基金：国家自然科学基金;河南省高校科技创新团队支持计划;河南省高校基本科研业务费专项资金项目

在线出版日期：2022-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1184-1188