基于微增材技术制造的氧化铟镓锌薄膜晶体管及其性能

摘要：

薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)是一种重要的有源电子元器件.微笔直写技术作为一种增材制造技术,因其能在三维(3D)曲面基板上直接实现电子元器件的增材制造而备受关注.基于微笔直写的微增材制造技术,采用氧化铟镓锌(IGZO)材料作为有源层,制备了IGZO-TFT器件.在最佳的工艺参数条件下得到的TFT器件迁移率为1.43 cm2/(V·s),开关电流比大于108.该迁移率与喷墨打印制备的IGZO-TFT器件的迁移率(1.41 cm2/(V·s))相近,低于通过旋涂制备的器件迁移率(4.59 cm2/(V·s)).这表明微笔直写技术是一种可行的薄膜晶体管增材制造技术.

关键词：薄膜晶体管;微增材制造;微笔直写;氧化铟镓锌有源层

所属期刊栏目：40

分类号：TN321(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金51775209

在线出版日期：2022-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1171-1175