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10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.0470

一种宽带高线性度射频放大器

引用
采用0.5μm GaAs E-pHEMT工艺设计了一种0.1~6 GHz的高线性度射频放大器.结合达林顿电路与共源共栅电路结构,提出了一种新型放大器电路结构,以提高增益平坦度和扩展带宽.同时,针对线性度较低的问题,在有源反馈偏置电路中采用了并联反馈电容的方法来抑制谐波分量的影响,从而提高放大器的线性度.仿真结果显示:在放大器的工作频段内,小信号增益为22.5 dB,增益平坦度为±0.5 dB,噪声系数小于1.7 dB.在频率为4.2 GHz处OIP3可达48 dBm,0.8 GHz处P1dB可达21.4 dBm.版图尺寸为0.85 mm×0.85 mm.

高线性度;达林顿;共源共栅;偏置电路;射频放大器

40

TN722.5(基本电子电路)

陕西省重点研发计划;西安市集成电路重大专项;陕西省创新人才推进计划-科技创新团队;陕西省教育厅重点科学研究计划

2021-12-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

1101-1106

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电子元件与材料

1001-2028

51-1241/TN

40

2021,40(11)

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