100V沟槽MOS器件的动态雪崩失效分析

摘要：

为了更准确地认识功率器件在非钳位感性负载开关(UIS)测试中的动态雪崩失效过程,基于实际流片工艺,在Sentaurus TCAD软件中,采用元胞和终端并联仿真的方法,完成了两款不同终端耐压的100 V沟槽MOS器件的UIS仿真.通过仿真得到的各类特性参数,详细分析了两款器件的动态雪崩失效过程.结果表明器件在不同终端耐压条件下具有不同的动态雪崩失效机制,更高的终端耐压能够明显改善器件的雪崩性能,为功率MOS器件的可靠性设计和优化提供了理论指导.

关键词：沟槽MOS;动态雪崩;失效分析;UIS;终端;并联仿真

所属期刊栏目：40

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金重大项目;国家自然科学基金重点项目;四川省重点项目

在线出版日期：2021-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1007-1011