基于粒子群优化算法提取GaN HEMTs外部寄生参数

摘要：

GaN HEMTs作为第三代半导体器件,它的工作频率高,功率密度大,而且耐高温、高压,不仅是功放控制电路中的重要组成部分,也是毫米波时代5G无线通信电路中的理想射频功率器件.基于GaN HEMTs器件的19参数小信号等效电路模型,提出了一种在冷场条件下,利用粒子群优化算法(PSO)获取器件小信号模型的外部寄生参数的方法.最后通过对比不同尺寸GaN HEMTs器件在冷场偏置条件下的实际测量和仿真S参数验证了该方法的有效性.

关键词：GaN HEMTs;PSO;参数;算法

所属期刊栏目：40

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2021-09-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：819-825