基于ABM器件的SiC MOSFET建模研究

摘要：

针对不同温度下SiC MOSFET模型精度不足的问题,提出一种基于模拟行为模型(ABM)器件建立SiC MOSFET模型的方法.分别对整体模型的沟道电流、导通电阻和栅漏电容部分进行改进,引入了阈值电压和跨导系数的温度调节函数,考虑了温度和栅源电压对导通电阻的影响,提出了无开关栅漏电容,建立了满足连续温度仿真的SiC MOSFET模型.仿真结果表明:基于ABM器件建立的模型能够准确地反映温度对阈值电压、跨导和导通电阻的影响,验证了所建模型的准确性.

关键词：SiC MOSFET、ABM器件、阈值电压、导通电阻、数据表

所属期刊栏目：40

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：天津市教委科研重点项目2018ZD15

在线出版日期：2021-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：584-590