超短波低噪声放大器的设计

摘要：

采用0.5μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺技术设计了一款10～1000 MHz具有低噪声和高线性度的超短波低噪声放大器.该放大器利用有源偏置电路和共源共栅结构设计而成,提出的新型有源偏置电路使该低噪声放大器(LNA)能够在复杂的环境中稳定地工作.仿真结果表明,在工作频带内,增益高于22 dB,噪声系数低于0.7 dB,输出1 dB压缩点高于26 dBm,输出三阶交调点高于43 dBm.

关键词：高线性度、有源偏置、共源共栅结构、低噪声放大器、输出三阶交调点

所属期刊栏目：40

分类号：TN722.3(基本电子电路)

资助基金：陕西省教育厅服务地方产业化专项;陕西省重点研发计划项目;陕西省重点研发计划项目;陕西省重点研发计划项目;国家科技重大专项

在线出版日期：2021-06-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：474-478