具有多场限环终端的PiN二极管反向击穿的研究

摘要：

场限环终端结构可以有效提高击穿电压,因而被广泛应用于半导体功率器件.场限环中多个参数都影响PiN二极管主结的击穿能力.本文基于数值模拟软件建立PiN二极管的场限环终端仿真模型,并设计十道场限环作为终端结构.分别仿真场限环结深和漂移区掺杂浓度与主结的击穿电压的关系,得到结深和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系曲线.当漂移区掺杂浓度一定时,PiN二极管主结击穿电压随结深的增大而增大;当结深保持不变时,PiN二极管主结击穿电压随漂移区掺杂浓度的增大而减小.随后提取击穿时的电场分布,并分别从结表面和结曲面的峰值电场、电场分布均匀度两个方面分析击穿原理.

关键词：PiN二极管、场限环、击穿电压、结深、漂移区掺杂浓度、电场分布

所属期刊栏目：40

分类号：TN312.4(半导体技术)

在线出版日期：2021-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：119-123,149