Si基GaN射频器件研究进展

摘要：

针对低成本、大尺寸的GaN HEMT技术,回顾了近年来Si基GaN射频器件在大尺寸材料外延生长、器件制备工艺与单片集成电路等方面的国内外研究进展,指出推进其发展的重要意义,并分析了抑制射频损耗、无金欧姆接触及复合钝化等技术难点,阐明了具有研究前景的优化及发展方向.基于高阻Si衬底上AlGaN/GaN HEMT结构,通过调控C掺杂技术得到了较低的射频损耗,研制出V型栅结构的Si基GaN射频器件,10 GHz下的线性增益达12.3 dB,Pout为3.6 W/mm,PAE约为45％.分析表明,随着材料与器件等基础问题的解决,未来Si基GaN射频器件在5G应用、低成本雷达等领域拥有巨大的发展前景.

关键词：硅基氮化镓、射频损耗、综述、无金工艺、功率密度、功率附加效率

所属期刊栏目：40

分类号：TN385(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金 61874101,61904162

在线出版日期：2021-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：111-118