一种高Q值高耦合叠层射频变压器的设计

摘要：

采用TSMC0.13μm 1P6MCMOS工艺,设计了一种用于射频集成电路的高Q值、高耦合的叠层片上变压器.采用叠层差分结构,初级线圈和次级线圈上下完全重合,提高线圈的耦合效率及初次级线圈的品质因数Q.同时采用背硅刻蚀工艺改进衬底,减少衬底涡流损耗.研究了线圈直径d、宽度w和间距s对变压器性能的影响.应用安捷伦ADS Momentum软件,对所设计的片上变压器进行电磁场S参数仿真验证.结果表明,该变压器在4.2 GHz时品质因数Q值达到最大值13.4,在1～10 GHz频率范围内耦合系数K为0.8～1,最大可用增益Gmax接近于0.9,可应用于硅基射频集成电路设计中改善电路性能.

关键词：射频集成电路、高耦合、叠层、片上变压器、背硅刻蚀工艺、最大可用增益

所属期刊栏目：40

分类号：TN609(电子元件、组件)

资助基金：浙江省科技计划项目2017C01027

在线出版日期：2021-02-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：59-64,71