基于GaN的高效率功率放大器设计

摘要：

基于Cree公司GaN HEMT设计了一款适用于3.45 GHz 5G通信的Doherty功率放大器,其中,载波放大器工作于深AB类,峰值放大器偏置于C类.后仿真表明该放大器小信号增益为13 dB,饱和输出功率大于44.85 dBm(30 W),在饱和点的功率附加效率(PAE)为73.5％.在6 dB回退点效率高达65.2％,与传统AB类放大器相比,效率提升了18％.利用峰均功率比为10 dB、5 MHz的单载波的FDD信号在3.45 GHz频点进行线性仿真,测得在34 dBm的平均输出功率下,邻道泄漏比(ACLR)和误差向量幅度分别为-32.1 dBc和7.768％.

关键词：高效率、GaN、Doherty、功率放大器、5G

所属期刊栏目：40

分类号：TN722(基本电子电路)

资助基金：国家自然科学基金;福建省中央引导地方科技发展专项资金

在线出版日期：2021-02-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：47-53