GaN HEMT经时击穿可靠性的研究进展

摘要：

氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)凭借着高电子迁移率、低导通电阻和高击穿场强等优点,在高频器件和大功率开关器件等领域得到了广泛运用.但经时击穿会导致在正常工作电压范围内的器件发生失效,因此GaN器件的经时击穿成为了评估器件可靠性的关键因素.介绍了GaN HEMT经时击穿的现象及偏压依赖性,总结了经时击穿的物理机制,讨论和展望了场板、钝化层以及栅极边缘终端结构对提升器件的经时击穿可靠性的作用.

关键词：氮化镓、高电子迁移率晶体管、综述、经时击穿、失效、可靠性

所属期刊栏目：39

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划2017YFB0403000

在线出版日期：2021-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

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