硅通孔结构参数对信号传输性能的影响

摘要：

利用ANSYS HFSS软件建立硅通孔(Through Silicon Via,TSV)的信号-地(S-G)结构模型,在不同TSV的结构参数下对TSV信号的传输特性进行研究,将传输模型的插入损耗S21作为传输性能好坏的判断标准.结果表明:TSV的传输性能与TSV的半径、TSV的高度以及填充金属的表面积有关,与体积无关,即金属材料的填充率对插入损耗几乎没有影响.

关键词：信号-地结构、TSV、信号传输性能、插入损耗、表面积

所属期刊栏目：39

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金61571245,61474067

在线出版日期：2020-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：101-105,110