BaAl2-2x Zn2x Si2 O8陶瓷结构与微波介电性能研究

摘要：

采用固相烧结法,按化学计量比合成了BaAl2-2x Zn2x Si2 O8(x=0,0.25％,0.5％,0.75％,1％,1.5％)陶瓷.研究了不同Zn2+掺杂量对BaAl2 Si2 O8(BAS)系微波介质陶瓷晶体结构和介电性能的影响.结果表明:Zn2+取代Al3+产生氧空位可以有效促进BAS由六方相转变为单斜相,将BAS陶瓷的烧结温度降低至1350℃,并改善BAS陶瓷样品的密度、品质因数(Q×f)及谐振频率温度系数(τf).当x=0.75％,烧结温度为1350℃时,可获得综合介电性能较好的BAS陶瓷,其介电性能为:εr=6.67,Q×f=46226 GHz,τf=-25.21×10-6/℃.

关键词：BaAl2Si2O8、氧空位、单斜相、晶体结构、介电性能

所属期刊栏目：39

分类号：TQ174

资助基金：国家自然科学基金;教育部春晖计划项目;四川省特种材料及制备技术重点实验室开放课题资助项目

在线出版日期：2020-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：67-72,78