0.1～6GHz高线性度低功耗InGaP/GaAsHBT射频放大器

摘要：

基于2μm InGaP/GaAs HBT(磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管)工艺设计了一款单片微波集成电路射频放大器芯片.针对达林顿结构射频放大器线性度低的问题,通过设计自适应线性化偏置电路,提高了线性度,降低了功耗,同时增大放大管的尺寸,提高了电路的总输出功率.仿真结果表明,在带内最大增益达到20 dB,增益平坦度为±1.2 dB,放大器的OIP3为34.5 dBm,射频放大器的P-1dB为15 dBm,输入回波损耗为11.3 dB,输出回波损耗为11.5 dB,版图的尺寸为0.4 mm×0.55 mm.

关键词：达林顿结构、砷化镓、自适应偏置、线性度、射频芯片、射频放大器

所属期刊栏目：39

分类号：TN722(基本电子电路)

资助基金：西安市集成电路重大专项;陕西省软科学研究计划

在线出版日期：2020-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：59-64