6H-SiC基混合肖特基/PiN二极管反向恢复及少子特性研究

摘要：

反向恢复特性是衡量混合肖特基/PiN(MPS)二极管开关性能最重要的参数之一.本文对6H-SiC基MPS二极管结构参数与反向恢复峰值电流、反向恢复电压之间的关系进行了数值模拟仿真,分析了器件关断过程中过剩少数载流子分布,以此就6H-SiC基MPS器件结构参数对反向恢复特性的影响进行了研究.结果 表明:结构参数P+区结深、P+区掺杂浓度的增加,或肖特基区占比的减小,均会引起反向恢复峰值电流、反向恢复峰值电压的增大.究其根本,是器件结构参数改变引起了漂移区下少数载流子发生产生、复合、抽运等一系列变化.综合考虑反向恢复峰值电流、反向恢复峰值电压与软恢复特性,得出6H-SiC基MPS最佳优化参数:P+结深为3.8～4.0μm,肖特基区的占比为48％～56％,P+掺杂浓度为5.0×1018/cm3.

关键词：6H-SiC MPS、反向恢复峰值电流、反向恢复峰值电压、少数载流子、软恢复因子

所属期刊栏目：39

分类号：TN510.30

资助基金：甘肃省自然科学基金1610RJZA046

在线出版日期：2020-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：52-58,82