基于PdO/Si异质结的近红外光电探测器

摘要：

为了探索PdO薄膜的光电性质,采用电子束和CVD高温氧化技术在N型Si上生长了PdO薄膜,使用X射线衍射仪(XRD)、 拉曼光谱仪(RAMAN)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的成分和形貌进行表征.研制了PdO/Si异质结光电探测器,并对探测器进行光电性能测试.实验结果表明,探测器具有优异的整流特性,在波长为970 nm的光照下,开关比高达9.8×103,并具有优异的空气稳定性和耐久性.因此当前器件在未来的NIR光电系统中具有巨大的应用潜力.

关键词：光电探测器、氧化钯、异质结、近红外

所属期刊栏目：39

分类号：TN36(半导体技术)

在线出版日期：2020-09-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：27-32,63