沟槽式肖特基用高均匀性硅外延支撑层高速生长工艺研究

摘要：

作为沟槽式肖特基芯片的关键支撑层,硅外延层的性质对芯片性能构成重要影响.系统探索了新式高速外延生长工艺制备硅外延层的方法.通过干涉显微镜、FT-IR、Hg-CV对硅外延层性质进行表征.研究了高速外延生长条件下的厚度均匀性、电阻率均匀性、表面完整性与外延反应流场、热场的作用规律.研究结果表明,通过基座高度的调制、加热功率的分配、预先基座包硅、本征覆盖层生长等综合手段解决了外延层边缘参数控制问题,并实现了最高6.6μm/min的生长速率.

关键词：硅外延层、高速沉积、厚度、电阻率、均匀性、晶体缺陷

所属期刊栏目：39

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2020-03-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：51-57