功率晶体管直流增益温度变化率的研究及埋层结构优化

摘要：

利用TCAD半导体器件仿真软件,依据NPN型大功率晶体管电参数指标要求,针对直流增益及其高、 低温变化率进行了研究.为拓宽满足直流增益要求的结构参数范围并改善直流增益高、 低温变化率,提出一种新型带P+埋层的高反压大功率晶体管结构.仿真结果表明:通过对P+埋层掺杂浓度和厚度进行优化,可有效折中直流增益和集电极-发射极击穿电压的矛盾关系,使得发射区、 基区结构参数在较大范围内满足直流增益指标要求,增大了工艺裕量.P+埋层的存在,可针对满足直流增益及其高、 低温变化率的要求来调整发射区、 基区结构参数.

关键词：功率晶体管、直流增益、高低温变化率、埋层结构、优化

所属期刊栏目：38

分类号：TN311(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金U1704132

在线出版日期：2019-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：29-36