10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.11.002
基于铁电薄膜的Al/PVDF/SiO2/n-Si结构的负电容效应研究
采用旋涂法制备了基于铁电聚合物薄膜的Al/PVDF/SiO2/n-Si(MFIS)结构.通过测量MFIS结构的电容-频率特性和电容-电压特性,观察到负电容效应.测量频率越低,正向偏压越大,负电容效应越显著.在时域中,施加脉冲电压,出现瞬态电流随时间增大的电感现象.研究结果表明,MFIS结构中的负电容效应是一种电感现象.构建能带图分析MFIS结构中负电容效应的产生原因,是由于大量电子注入到界面中被捕获使得电流的相位落后于电压导致.基于铁电薄膜的负电容MFIS结构有望应用于低功耗器件中.
负电容、铁电薄膜、PVDF、MFIS结构、电感
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TN303(半导体技术)
国家自然科学基金11504242;佛山科学技术学院高层次人才科研启动项目gg07049
2019-11-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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