MoO3纳米线有序阵列在微流芯片中的Cd2+离子传感特性研究

摘要：

采用水热合成技术生长MoO3纳米线,利用介电泳技术在微电极上组装MoO3纳米线阵列,研究了纳米线阵列对水中Cd2+离子浓度的传感特性.结果表明,水热法所得纳米线为正交相MoO3结构,长度可达20μm.在介电泳力作用下,纳米线可在微电极的间隙取向排列,构成沿水平方向平行排列的纳米线阵列.将所得纳米线阵列与微流控芯片相集成,可获得用于液体离子浓度探测的微型传感器件.器件在室温下,对水溶液中浓度为1～50μmol/L的Cd2+离子表现出快速灵敏的线性响应特性.其中,当Cd2+离子溶液浓度为50μmol/L时,传感器的电阻开关比约为4.8,响应时间约为114 s.随着Cd2+离子浓度逐渐降低,传感器的电流开关比线性下降,响应时间逐渐缩短.根据傅里叶变换红外光谱结果,MoO 3纳米线阵列这种快速、 灵敏的Cd2+离子敏感特性主要来自水热反应后其表面携带的羟基官能团所致.

关键词：离子探测、纳米线阵列、介电泳、三氧化钼、微流控

所属期刊栏目：38

分类号：TN384(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目11504099;湖北省技术创新重大专项2016AAA002

在线出版日期：2019-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：32-37