Ca-B-Si玻璃掺杂对SrTiO3基半导体陶瓷材料性能的影响

摘要：

采用二次烧结法制备了Ca-B-Si(CBS)玻璃掺杂的SrTiO3基晶界层型陶瓷电容器材料.研究了CBS玻璃作为掺杂剂对SrTiO 3基半导体陶瓷电容器微观结构、 介电性能及温度稳定性的影响.结果表明,适量的CBS掺杂能明显改善材料的电容温度稳定性,提高相对介电常数(εr),降低介电损耗(tanδ).当CBS质量分数为0.4％ 时,可获得最佳的电学性能:εr为19418,tanδ 为0.007,在-55～150℃电容温度变化率(ΔC·C-1)小于10％,绝缘电阻率大于2.1×1011Ω·cm.

关键词：SrTiO3、CaO-B2O3-SiO2玻璃、掺杂、温度稳定性、介电性能、固相反应法

所属期刊栏目：38

分类号：TN82(无线电设备、电信设备)

在线出版日期：2019-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：14-18