B位取代CaBi2Nb2O9陶瓷微观结构与电学性能对比研究

摘要：

CaBi2Nb2O9(CBN)陶瓷居里温度高达940℃,为高温压电应用提供了必要条件.可能起施主作用的Cr,Mo,W,Sb掺杂离子被引入到CaBi2 Nb2 O9(CBN)陶瓷的晶格中.对掺杂陶瓷的微观结构和电学性质进行了对比研究.SEM图像表明,掺杂的CBN基陶瓷,特别是CBN-W陶瓷的晶粒尺寸,均小于纯CBN陶瓷.W掺杂CBN陶瓷晶胞参数和电学性质结果表明,陶瓷中的W元素应为施主掺杂离子W6+.Sb掺杂CBN陶瓷的晶胞体积和电学性质表明,Sb元素在CBN陶瓷中为+5价.+5价Cr,Mo元素存在于陶瓷中,无法形成+6价的原因可能是由于+6价离子半径较小,易产生晶格失配.W掺杂CBN陶瓷在所有组分中具有最高的d 33值,约13 pC/N时.Cr,Mo,Sb掺杂陶瓷也相对CBN基陶瓷具有更高的压电活性.此外,所有掺杂CBN陶瓷均具有良好的热稳定性、 较高的居里温度和较低的介电损耗,表明Cr,Mo,W,Sb离子是可改善CBN基陶瓷性能的有效掺杂离子.

关键词：B位取代、掺杂效应、氧空位、电性能

所属期刊栏目：38

分类号：TB34(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金 51802344

在线出版日期：2019-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：56-63