10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.04.007
3D堆叠封装硅通孔结构的电-热-结构耦合分析
硅通孔(TSV)技术作为三维封装的关键技术,其可靠性问题受到广泛的关注.基于ANSYS平台,通过有限元方法,对3D堆叠封装的TSV模型进行了电-热-结构耦合分析,并进一步研究了不同的通孔直径、 通孔高度以及介质隔离层SiO2厚度对TSV通孔的电流密度、 温度场及热应力分布的影响.结果表明:在TSV/微凸点界面的拐角处存在较大的电流密度和等效应力,容易引起TSV结构的失效;增大通孔直径、 减小通孔长度可以提高TSV结构的电-热-机械可靠性;随着SiO2层厚度的增加,通孔的最大电流密度增大而最大等效应力减小,需要综合考虑合理选择SiO2层厚度.
硅通孔、电-热-结构耦合分析、有限元法、电流密度、热应力
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TM277(电工材料)
国家自然科学基金 51605252, 51875523
2019-05-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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