合金化方法抑制银晶须生长的研究

摘要：

瓷介电容器具有诸多优点而被广泛用于电子电路中,而瓷介电容器引出端金属层会自发生长晶须,晶须的产生会造成电气短路、残屑污染、等离子体电弧放电等问题,对电子行业产生一定风险.本文以瓷介电容器端面银层为研究对象,利用合金化的方法,通过向银中添加一定含量的钯,经充分混合、涂覆、烘干、烧银后置于低气压受热环境下,借助SEM、EDS等方法探究添加钯对银晶须生长的影响.结果表明,通过向银中添加钯不能完全抑制银晶须的生长现象,但钯能够减缓银的迁移速率,延长晶须生长孕育期,在一定程度上能够抑制银晶须的生长.

关键词：合金化、钯、抑制、银晶须、生长

所属期刊栏目：38

分类号：TM53(电器)

在线出版日期：2019-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：77-80