10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.03.009
一种新型FBAR结构的设计
针对传统FBAR(Film Buck Acoustic Resonator)制备困难、成品率低的问题,提出一种新型FBAR结构(SU8-FBAR).利用高分子聚合物材料SU8薄膜代替传统FBAR的支撑层和声波限制结构,增加了FBAR器件的机械强度,且易于制备,成品率较高.采用AlN作压电薄膜,分别以Mo、Pt、CNT、Al作为电极,利用Comsol Multiphysics仿真软件对SU8-FBAR的结构参数进行仿真优化.结果显示,当电极材料为CNT、上电极厚度为0.1μm、SU8薄膜厚度为5μm时,SU8-FBAR的综合性能最优:SU8-FBAR的品质因数(Q)值达到1210,几乎为传统FBAR Q值的3倍;机电耦合系数为0.063,高于传统FBAR的0.0425.该器件能检测到极小谐振频率的变化,可用于微生物传感领域.
新型薄膜体声波谐振器结构、SU8薄膜替代声波限制结构、有限元仿真、易于制备
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TN384(半导体技术)
国家自然科学基金51575499
2019-04-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
50-55,61