以PI为基底的金薄膜导热导电性能研究

摘要：

实验利用瞬态电热技术测量出镀在聚酰亚胺(PI)基底表面的6.4 nm金薄膜面内方向的导热系数、 导电系数和洛伦兹数,并研究了PI薄膜基底的热处理温度与时间对金薄膜导热、 导电性能的影响.研究结果表明,PI基底可以促进金薄膜面内方向的热传导与电传导.PI薄膜基底表面金薄膜导热、 导电性能最强,适合应用在柔性电子领域中.当对PI薄膜基底的热处理时间为1 h时,随着热处理温度从50℃升到200℃,金薄膜的导热、 导电系数呈下降趋势.当热处理温度为200℃时,随着热处理时间从0 h升到6 h,金薄膜的导热、 导电性能先下降后上升,并在6 h后趋于稳定.

关键词：瞬态电热技术、导电系数、导热系数、洛伦兹数、金薄膜、PI基底

所属期刊栏目：38

分类号：TB383(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金51506106,11402180;中国博士后科学基金2017M612225

在线出版日期：2019-03-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：28-35