高场应力下晶格匹配In0.17Al0.83N/GaNHEMT退化研究

摘要：

制备了晶格匹配In0.17 Al0.83 N/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),并通过施加一个持续的应力,研究了器件在不同源漏应力下的退化机制.结果表明:应力后器件主要参数如饱和漏电流、 跨导峰值和阈值电压等均发生明显的退化,并且随着源漏应力的增大,退化越来越明显.通过分析不同应力条件下器件转移特性的退化与恢复过程,提出一个沟道电子俘获和去俘获机制来解释该退化:由于InAlN势垒层中存在高密度缺陷,应力持续过程中,沟道热电子逐渐被缺陷俘获,导致器件退化;当源漏应力被撤去后,经过一段时间,俘获的电子被释放,器件性能逐渐恢复.

关键词：晶格匹配、In0.17Al0.83N/GaN、HEMT、势垒层陷阱、退化、应力

所属期刊栏目：37

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：江苏省高等学校自然科学研究面上项目17KJB510007,17KJB535001,18KJB510005

在线出版日期：2019-03-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：36-39