改进窗函数下的忆阻器特性分析和研究

摘要：

基于杂质漂移机理,分析了忆阻器的导电过程,为了更加准确地模拟忆阻器内部离子的实际迁移情况,提出了一种改进的窗函数模型.基于MATLAB软件工具研究了忆阻器的伏安特性,进而分别研究了传统窗函数和改进窗函数模型下的滞回特性,通过仿真对比分析结果表明:改进的忆阻器模型不仅具有可调性和高灵活性,还解决了"边界锁死"问题;忆阻器的滞回曲线呈现出明显的优越性;在频率允许范围内,忆阻器的伏安特性会随着频率的增大而缩减,当频率趋于无穷大时,呈现出一条直线,则表现出普通电阻元件特性.

关键词：忆阻器、伏安特性、窗函数、可调性、边界锁死、滞回曲线

所属期刊栏目：37

分类号：TN60(电子元件、组件)

资助基金：国家自然科学及河南人才培养联合基金资助项目U1204506

在线出版日期：2019-01-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：78-84